ذاكرة جديدة بحجم 512 غيغابايت من سامسونج

سامسونغ تحدث نقلة في عالم الإلكترونيات بذواكر وصول عشوائي غير مسبوقة

كشفت شركة سامسونغ عن جيلها الأحدث من ذواكر الوصول العشوائي DDR5 الذي يتوقع أن يفتح آفاقا واسعة في عالم الحواسب المتطورة.

وأكثر ما يميز الذواكر الجديدة هو سعتها التي تصل إلى 512 غيغابايت، أي أن كل شريحة منها ستوفر إمكانيات هائلة لمعالجة البيانات في الحواسب دون أن تشغل مساحات كبيرة كما هو الحال مع ذواكر الوصول العشوائي الحالية.

أقرأ أيضا:

وتبعا للخبراء في سامسونغ فإن ذواكر DDR5 الجديدة التي طوروها تعتمد تقنيات High-K Metal Gate التي تستخدم فيها نواقل معدنية بدلا من السيليكون ما يؤمن سرعات عالية في نقل البيانات.

وتشير المعلومات المتوفرة إلى أن هذه الذواكر تصل سرعة نقل البيانات فيها إلى 7200 ميغابيت/ثا، أي أكبر بمقدار الضعف مقارنة بالسرعة الموجودة في ذواكر DDR4 تقريبا.

وبفضل التقنيات المتطورة التي حصلت عليها هذه الذواكر فإن استهلاكها للطاقة أقل بمقدار 13% مقارنة بأحدث ذواكر الوصول العشوائي المطروحة للحواسب حاليا.

ومن المفترض أن تجد هذه الشرائح استخدامات واسعة في عالم الحواسب المتطورة التي تعتمد على تقنيات الذكاء الاصطناعي وتعالج كميات كبيرة من البيانات في نفس الوقت، كما يفترض أن تطرح مع الجيل القادم من الحواسب التي ستطلقها سامسونغ وآسوس وإتش بي العام القادم.

this is Samsung’s 512GB DDR5 module. Rumor has it that this might be enough RAM for Chrome to live a happy life https://t.co/vhMWy1dJRP pic.twitter.com/V0DSmM3bAd — Tom Warren (@tomwarren) March 25, 2021

ذواكر وصول عشوائي سامسونج تكنولوجيا

أيضاً في هذه الحزمة